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合理的配方和工藝是控制材料的化學成分和微觀結構，獲取優(yōu)良的宏觀物理性能的關鍵。而ZnO壓敏陶瓷實驗配方的設計是晶粒能否低壓化的關鍵技術之一，各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結構和晶界特性，進而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質對本征缺陷,尤其是對氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中，影響燒結時晶粒的生長、液相在冷卻時的去潤濕作用以及陶瓷的電子缺陷態(tài)。到目前為止，人們對低壓化及摻雜改性方面己經作了很多研究工作，得到了許多有價值的結果，如Co、Mn

、Sb等可改善非線性指數(shù)，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩(wěn)定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(shù)(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生長，Be、Ti、Sn則可促進晶粒生長。

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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的電流為1mA時所對應的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標準，該電壓用U1mA表示，稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預擊穿區(qū)和擊穿區(qū)轉折點的一個參數(shù)，一般情況下是一般情況下是1mA（Φ5 產品為0.1mA）直流電流通過時，產品的兩端的電壓值，其偏差為±0.1%。

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